HY1206D
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HY1206D , HUAYU

Fabricant: HUAYU
No de pièce du fabricant: HY1206D
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For HY1206D

ECAD:
Description:
MOSFET N Trench 60V 20A(Tc) 3V @ 250uA 75 mΩ @ 10A,10V TO-252-2L RoHS
Demande de devis In Stock: 303362
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20A(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mΩ @ 10A,10V
Pd - Power Dissipation 31.3W(Tc)
Transistor Polarity N Trench
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Références croisées
5080684
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=5080684&N=
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