AIMBG120R010M1XTMA1
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AIMBG120R010M1XTMA1 , Infineon Technologies

Fabricant: Infineon Technologies
No de pièce du fabricant: AIMBG120R010M1XTMA1
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For AIMBG120R010M1XTMA1

ECAD:
Description:
SIC_DISCRETE
Demande de devis In Stock: 273060
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 187A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(Th) (Max) @ Id -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Supplier Device Package PG-TO263-7-12
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 1200 V
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) -
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Références croisées
11939132
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11939132&N=
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