PA80R1K0CEXKSA1
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IPA80R1K0CEXKSA1 , Infineon Technologies

Fabricant: Infineon Technologies
No de pièce du fabricant: IPA80R1K0CEXKSA1
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IPA80R1K0CEXKSA1

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220
Demande de devis In Stock: 377526
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Drain To Source Voltage (Vdss) 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11952758
415
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