PG20N04S4L11ATMA1
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PG20N04S4L11ATMA1 , Infineon Technologies

Fabricant: Infineon Technologies
No de pièce du fabricant: IPG20N04S4L11ATMA1
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IPG20N04S4L11ATMA1

ECAD:
Description:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Demande de devis In Stock: 889975
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
Power - Max 41W
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss) 40V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Fet Feature Logic Level Gate
Vgs(Th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Références croisées
11921960
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11921960&N=
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