PW60R280E6FKSA1
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PW60R280E6FKSA1 , Infineon Technologies

Fabricant: Infineon Technologies
No de pièce du fabricant: IPW60R280E6FKSA1
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IPW60R280E6FKSA1

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Demande de devis In Stock: 689528
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Drain To Source Voltage (Vdss) 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 3.5V @ 430µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11950625
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11950625&N=
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