RF6100PBF
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IRF6100PBF , Infineon Technologies

Fabricant: Infineon Technologies
No de pièce du fabricant: IRF6100PBF
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IRF6100PBF

ECAD:
Description:
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Demande de devis In Stock: 746188
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 4-FlipFet™
Drain To Source Voltage (Vdss) 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta)
Fet Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 4-FlipFet™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Références croisées
11948763
415
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