2N7002LT1G
Payment:
Delivery:

2N7002LT1G , Leshan Radio

Fabricant: Leshan Radio
No de pièce du fabricant: L2N7002LT1G
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For L2N7002LT1G

ECAD:
Description:
MOSFET N Trench 60V 2V @ 250uA 7.5 Ω @ 500mA,10V SOT-23(SOT-23-3) RoHS
Demande de devis In Stock: 228200
Conseils chaleureux: veuillez remplir le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dans les plus brefs délais.
*Quantité:
*Votre Nom:
*Adresse e-mail:
Téléphone:
Prix ​​cible:
Remarque:
envoyer une demande
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Leshan Radio
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C -
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 300mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5Ω @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Références croisées
4582593
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4582593&N=
$