JAN1N6471US
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JAN1N6471US , Microchip / Microsemi

Fabricant: Microchip / Microsemi
No de pièce du fabricant: JAN1N6471US
Paquet: D-5C-2
RoHS:
Fiche technique:

PDF For JAN1N6471US

ECAD:
Description:
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
Demande de devis In Stock: 10416
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Microchip
Product Category ESD Suppressors / TVS Diodes
RoHS
Pd - Power Dissipation 3 W
Current Rating 20 uA
Product Type TVS Diodes
Polarity Unidirectional
Working Voltage 12 V
Termination Style SMD/SMT
Package / Case D-5C-2
Breakdown Voltage 13.6 V
Clamping Voltage 22.6 V
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation 1.5 kW
Vesd - Voltage ESD Air Gap -
Vesd - Voltage ESD Contact -
Ipp - Peak Pulse Current 374 A
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C
Packaging Bulk
Brand Microchip / Microsemi
Factory Pack Quantity 1
Subcategory TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Vf - Forward Voltage 1.5 V
Références croisées
276997
946
/category/Circuit-Protection/ESD-Suppressors-TVS-Diodes_946?proid=276997&N=
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