/ON FQB6N80TM
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FQB6N80TM , ON Semiconductor

Fabricant: ON Semiconductor
No de pièce du fabricant: FQB6N80TM
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FQB6N80TM

Description:
MOSFET N Channel 800V 5.8A 5V @ 250uA 1.95Ω @ 2.9A,10V TO-263-3 RoHS
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 5.8A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 3.13W
Rds On - Drain-Source Resistance 1.95Ω @ 2.9A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 5V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800V
Références croisées
5132452
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=5132452&N=
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