HERAF1606G
Payment:
Delivery:

HERAF1606G , Taiwan Semiconductor

Fabricant: Taiwan Semiconductor
No de pièce du fabricant: HERAF1606G
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For HERAF1606G

ECAD:
Description:
DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
Demande de devis In Stock: 397268
Conseils chaleureux: veuillez remplir le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dans les plus brefs délais.
*Quantité:
*Votre Nom:
*Adresse e-mail:
Téléphone:
Prix ​​cible:
Remarque:
envoyer une demande
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Capacitance @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io) 16A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 16 A
Reverse Recovery Time (Trr) 80 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 600 V
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package ITO-220AC
Technology Standard
Voltage - Dc Reverse (Vr) (Max) 600 V
Références croisées
11843829
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11843829&N=
$