IRF9510STRR
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IRF9510STRR , Vishay / Siliconix

Fabricant: Vishay / Siliconix
No de pièce du fabricant: IRF9510STRR
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IRF9510STRR

ECAD:
Description:
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Demande de devis In Stock: 212013
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fet Type P-Channel
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11944190
415
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