I1406DH-T1-E3
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SI1406DH-T1-E3 , Vishay / Siliconix

Fabricant: Vishay / Siliconix
No de pièce du fabricant: SI1406DH-T1-E3
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For SI1406DH-T1-E3

Description:
MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
Demande de devis In Stock: 760656
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SC-70-6
Drain To Source Voltage (Vdss) 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Références croisées
11951657
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11951657&N=
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