60P25K
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NCE60P25K , Wuxi NCE Power Semiconductor

Fabricant: Wuxi NCE Power Semiconductor
No de pièce du fabricant: NCE60P25K
Paquet: TO-252-2(DPAK)
RoHS:
Fiche technique:

PDF For NCE60P25K

ECAD:
Description:
MOSFET P Trench 60V 25A 3.5V @ 250uA 45 mΩ @ 20A,10V TO-252-2(DPAK) RoHS
Demande de devis In Stock: 13620
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Wuxi NCE Power Semiconductor
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 25A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 90W
Rds On - Drain-Source Resistance 45mΩ @ 20A,10V
Package / Case TO-252-2(DPAK)
Packaging Tape & Reel (TR)
Transistor Polarity P Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 3.5V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Références croisées
4610412
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4610412&N=
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