FQI19N20TU
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FQI19N20TU , fairchild semiconductor

Fabricant: fairchild semiconductor
No de pièce du fabricant: FQI19N20TU
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FQI19N20TU

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
Demande de devis In Stock: 442598
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 200 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Fet Feature -
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.4A (Tc)
Références croisées
11935977
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11935977&N=
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