FQPF9N50
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FQPF9N50 , fairchild semiconductor

Fabricant: fairchild semiconductor
No de pièce du fabricant: FQPF9N50
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FQPF9N50

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F
Demande de devis In Stock: 99462
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 500 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 2.65A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Fet Feature -
Supplier Device Package TO-220F-3
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Références croisées
11936466
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11936466&N=
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