HUF75329D3
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HUF75329D3 , fairchild semiconductor

Fabricant: fairchild semiconductor
No de pièce du fabricant: HUF75329D3
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For HUF75329D3

Description:
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Demande de devis In Stock: 123187
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 55 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 20 V
Fet Feature -
Supplier Device Package I-PAK
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 128W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Références croisées
11936159
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11936159&N=
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