HUF75631P3
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HUF75631P3 , fairchild semiconductor

Fabricant: fairchild semiconductor
No de pièce du fabricant: HUF75631P3
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For HUF75631P3

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Demande de devis In Stock: 407655
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 20 V
Fet Feature -
Supplier Device Package TO-220-3
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Références croisées
11937597
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11937597&N=
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