IRF9532
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IRF9532 , harris corporation

Fabricant: harris corporation
No de pièce du fabricant: IRF9532
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IRF9532

ECAD:
Description:
P-CHANNEL POWER MOSFET
Demande de devis In Stock: 459382
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Mounting Type Through Hole
Fet Type P-Channel
Vgs (Max) ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Fet Feature -
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Références croisées
11935980
415
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