FDC638P-P
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FDC638P-P , onsemi

Fabricant: onsemi
No de pièce du fabricant: FDC638P-P
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FDC638P-P

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Demande de devis In Stock: 865045
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Fet Type P-Channel
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 10 V
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Drain To Source Voltage (Vdss) 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Fet Feature -
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Références croisées
11955319
415
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