FDMC86102LZ
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FDMC86102LZ , onsemi

Fabricant: onsemi
No de pièce du fabricant: FDMC86102LZ
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FDMC86102LZ

ECAD:
Description:
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Demande de devis In Stock: 209027
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Vgs(Th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Mounting Type Surface Mount
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Fet Feature -
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Package / Case 8-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 18A (Tc)
Références croisées
11933366
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11933366&N=
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