FQB4P25TM
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FQB4P25TM , onsemi

Fabricant: onsemi
No de pièce du fabricant: FQB4P25TM
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FQB4P25TM

ECAD:
Description:
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
Demande de devis In Stock: 67043
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Drain To Source Voltage (Vdss) 250 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 75W (Tc)
Fet Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11946263
415
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