FQP33N10
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FQP33N10 , onsemi

Fabricant: onsemi
No de pièce du fabricant: FQP33N10
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For FQP33N10

Description:
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Demande de devis In Stock: 187586
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 100 V
Package / Case TO-220-3
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±25V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 127W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11940723
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11940723&N=
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