NDDL01N60Z-1G
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NDDL01N60Z-1G , onsemi

Fabricant: onsemi
No de pièce du fabricant: NDDL01N60Z-1G
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For NDDL01N60Z-1G

Description:
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Demande de devis In Stock: 531682
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Drain To Source Voltage (Vdss) 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 92 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 10 V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11952930
415
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